로이터 “삼성, HBM 생산 공정에 하이닉스 기술 도입”...삼성 “사실 아니다”

이날 로이터통신은 복수의 익명 소식통을 인용해 삼성전자가 최근 ‘몰디드 언더필’ 기술과 관련된 반도체 제조 장비를 구매 주문했다고 전했다.AI 반도체의 필수 부품으로 꼽히는 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품을 말한다.반면 SK하이닉스는 칩 사이 공간에 특수 물질을 채워 넣어 붙이는 ‘매스 리플로우 몰디드 언더필’ 기술을 사용 중이다.

업계에 따르면 삼성전자의 HBM3 칩 수율은 10∼20%가량인 반면, SK하이닉스는 60∼70% 수준이라고 알려졌다.로이터통신은 이같은 원인 중 하나로 애널리스트 등을 인용, 일부 생산상의 이슈가 있는 NCF 방식을 고수했기 때문이라고 전했다.삼성전자는 내부적으로 개발한 NCF 기술이 HBM 생산에 최적화됐다고 평가하면서, 차세대 HBM 제품인 HBM3E 칩 생산에도 사용할 예정이라고 밝혔다.이 기술은 TC-NCF 방식에 필수적인 필름의 두께를 줄여 반도체 적층 수를 늘리면서 HBM의 높이는 유지할 수 있는 기술을 말한다. 삼성전자는 HBM 공정 개선에 힘쓰고 있다.

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