エネルギー効率の高いGaNベースのパワー・デバイスを開発し、環境に優しいエレクトロニクスを実現するファブレスのクリーンテック半導体企業であるCambridge GaN Devices（CGD）は台湾のChicony Power Technology Co.
CGDはCEOのGiorgia LongobardiとCTOのFlorin Udreaがケンブリッジ大学と以前からつながりを持っています。イノベーションの最先端を行くスイッチ・モード電源の世界的リーダーであるChicony Power、パワー半導体デバイスの研究とイノベーションで有名なケンブリッジ大学のHVMSグループとのコラボレーションにより、システム、アプリケーション、研究、デバイスの専門家集団から成る重要なGaNエコシステムが誕生します。このプロジェクトではChicony Powerがリードする市場におけるノートPC向けの高効率、高密度アダプター用SMPSプロトタイプと、データセンターやAIサーバーのアプリケーション向けのチタン＋高効率/高電力密度（＞100W/インチ3）CRPS、OCP電源シェルフユニット（3kW～6kW）を提供する予定です。「Chicony...
最近、CGDはICeGaN™ 650 V窒素ガリウムHEMTファミリで2番目となるシリーズを発売しました。H2シリーズICeGaN HEMTは一般的なeモードGaNの弱点を事実上排除するCGDのスマート・ゲート・インターフェースを採用しており、過電圧に対する堅牢性の大幅な向上、ノイズを発生しない高いしきい値、dV/dt抑制、ESD保護を実現します。新しい650V H2 ICeGaNトランジスタは前世代と同様に、市販の産業用ゲート・ドライバで容易に駆動可能です。また、H2 ICeGaN HEMTはシリコン部品と比較して10倍低いQGと5倍低いQOSSを特長としています。Cambridge GaN...
過去10年間で600以上のジャーナル投稿論文や国際会議論文（IEEE、IEE、Phys.Rev、JAP、APL、ISPSD、IEDM）を発表しており、パワー・エレクトロニクス業界内でも多くのコラボレーションを積極的に行っています。