米半導体法が成立、国内研究開発への補助金などで7兆円規模

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バイデン米大統領は9日、520億ドル(約7兆200億円)の補助金・奨励金を盛り込んだ国内半導体業界支援法案に署名し、同法は成立した。バイデン氏は署名式で、「一世一代」の米国への投資だと強調した。

署名に先立って対戦車ミサイル「ジャベリン」の製造施設を訪れたというバイデン氏は、ミサイルにも使われる最先端の半導体製造において「米国が世界をリードする必要がある。支援法案はまさにこれを実現するものだ」と述べた。バイデン政権や議員らからはこれまで、同法案における安全保障面での重要性を指摘し、中国との競争、対抗に不可欠だとの声が上がっていた。

補助金の多くは、それぞれ数百億ドルを投じて米国内に半導体の新工場を建設中の米インテルや台湾積体電路製造(TSMC)、韓国サムスン電子などに支給される見通し。補助金を受け取る場合、企業は中国で最先端半導体を増産しないと約束することが条件となる。を明らかにした。補助金を受けることを想定し、最大で4万人の雇用創出を見込むとしている。

 

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日本も3兆円ほど同様の補助をした方がいい

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