ゲルシンガーCEOが発表したロードマップが以下。Intelはこれまで、「Intel ○○nm」という命名規則でチップを製造してきましたが、赤枠で示された新計画により、今後は「Intel 7」「Intel 4」「Intel 3」「Intel 20A」として展開されることになります。以降で最初の新プロセスノードは「Intel 7」で、これは以前「10nm Enhanced SuperFin」ないし「10ESF」と呼ばれていたノードのリネームです。Intel 7では、10nm SuperFin以前のモデルからトランジスターを最適化することで、消費電力当たりのパフォーマンスが10～15％改善される予定とのこと。による超短波長光を使用した非常に精細な印刷技術により、消費電力当たりのパフォーマンスがIntel 7から20％向上すると見込まれています。
3番目プロセスノードは「Intel 3」で、2023年後半に生産が開始されるプロセッサーに搭載される予定です。Intel 3では、トランジスターのさらなる最適化とEUVリソグラフィの使用拡大により、消費電力当たりのパフォーマンスがIntel 4から18％改善されるとのこと。 そして、ゲルシンガーCEOが「オングストローム時代」と呼ぶ2024年からの新しい取り組みでは、Intelが「業界初のバックサイド・パワー・デリバリー」と呼ぶ半導体への新しい配電方式であるPowerViaと、新アーキテクチャのRibbonFETを実装した「Intel 20A」がリリースされます。Intel 20Aは、新しいロードマップにおける主要なマイルストーンの1つであるGate-All-Aroundを最初に搭載するチップになるとのこと。
また、Intel 20AのプロセスノードではQualcommとも提携し、同社から半導体生産を受注することが決まっています。Qualcommのクリスティアーノ・アモンCEOはIntel 20Aについて「我々は、Intel 20Aに搭載されている画期的なRibbonFETとPowerVia技術に期待を寄せています。また、Intelの半導体製造受託事業であるIntel Foundry Servicesが、アメリカのファブレス産業が自社製品を生産現場に投入するのを支援する最先端のファウンドリパートナーの1つとなることをうれしく思います」とコメントしました。 2025年以降は、Intel 20AのRibbonFETをさらに改良した「Intel 18A」がローンチされる計画です。ゲルシンガーCEOは今回発表したロードマップについて、「先進的な技術の組み合わせによるIntelの揺るぎないリーダーシップを元に、我々はイノベーション・ロードマップを加速させ、2025年までにプロセス・パフォーマンスのリーダーシップを確立させる足がかりとします。我々は、比類なきイノベーションのパイプラインを活用して、半導体レベルからシステムレベルに至るまでテクノロジーを進歩させ、元素周期表が終わるまでムーアの法則を追求し、シリコンの魔法でイノベーションを起こす道をまい進していきます」と述べました。
クアルコムのスマホ用CPU、Snapdragonをインテルのファブで製造するっていうニュースって解釈でOK？
わかりにくい。
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